Название
Категория | Описание
Упаковка | Склад, (шт) | Цена, (бел.руб) | Добавлен | Количество | В корзину |
|
CL31-C0G-100 пФ-50 В-5% (chip 1206) Samsung
|
|
1753
|
0,06
|
14.07.2026 8:56:48
|
|
|
|
HC-100 В-6800 мкФ (40х50) Samwha
|
|
3
|
144,51
|
14.07.2026 8:56:48
|
|
|
|
HC-250 В-1000 мкФ (35х45) Samwha
|
|
1
|
44,46
|
14.07.2026 8:56:48
|
|
|
|
RD-50 В-1000 мкФ 20% (13х20) (105°C) Samwha
|
|
7
|
6,11
|
14.07.2026 8:56:48
|
|
|
|
WL-500 В-100 мкФ (16x50) (105°C, low impedance) Samwha
|
|
20
|
30,01
|
14.07.2026 8:56:48
|
|
|
|
К50-35-160В-100 мкФSAMHWA85С(96г
|
|
11877
|
1,28
|
13.07.2026 13:24:51
|
|
|
|
FYL -5013IRAT1C (TSAL6100))
|
23 Китай
|
1
|
2,01
|
13.07.2026 13:15:26
|
|
|
|
FYL -5013IRAT1C (TSAL6100))
|
25 Китай
|
40
|
2,01
|
13.07.2026 13:15:26
|
|
|
|
к50-имп.-10в-100 мкФ-20% (б/г.) (Samwha)
|
(105°, 05х10)
|
985
|
0,29
|
13.07.2026 10:58:51
|
|
|
|
`CBB65 100uF 450V (SAIFU)
|
SAIFU
|
50
|
76,66
|
13.07.2026 10:11:45
|
|
|
|
`CBB65 100uF 450V (SAIFU)
|
SAIFU
|
33
|
76,66
|
13.07.2026 10:11:45
|
|
|
|
`CBB65 100uF 450V WIRE (SAIFU)
|
2023 SAIFU
|
4
|
64,84
|
13.07.2026 10:11:45
|
|
|
|
`CBB65 100uF 450V WIRE (SAIFU)
|
SAIFU
|
1
|
64,84
|
13.07.2026 10:11:45
|
|
|
|
`CBB65 100uF 450V WIRE (SAIFU)
|
2023 SAIFU
|
50
|
64,84
|
13.07.2026 10:11:45
|
|
|
|
2SA812 (M6)-T1B pnp 50V 100mA h21E=200...400
|
Malaysia SOT-23
|
150
|
0,20
|
13.07.2026 10:11:12
|
|
|
|
2SA812 pnp 50V 100mA
|
Renesas SOT-23
|
100
|
0,20
|
13.07.2026 10:11:12
|
|
|
|
2SA812 pnp 50V 100mA
|
Импорт SOT-23 3000
|
3560
|
0,20
|
13.07.2026 10:11:12
|
|
|
|
BCR158WH6327XTSA1 pnp 50V 100mA 250mW Built in bias resistor Rb=2.2k, Rbe=47k
|
19 Infineon SOT-323 3000
|
105914
|
0,39
|
13.07.2026 10:11:12
|
|
|
|
Кварц Q10.0-MGSA-30-50/50-T2
|
18 Jauch
|
55
|
4,42
|
13.07.2026 10:11:12
|
|
|
|
BCR533E6327HTSA1 npn 50V 0.5A 0.33W 100MHz
|
Infineon SOT-23
|
504
|
0,98
|
13.07.2026 10:11:12
|
|
|
|