|
ЛИЧНЫЙ КАБИНЕТ
|
|
|
 |
|
Ваш заказ (0)
|
|
|
 |
|
Результат поиска
RF-2008
Найдено: 27
Название
Категория | Описание
Упаковка | Склад, (шт) | Цена, (бел.руб) | Добавлен | Количество | В корзину |
|
Предохранитель RF1-5x20 0,8А (5 х 20)
|
|
33
|
0,56
|
14.07.2026 8:56:48
|
|
|
|
IRFR12N25D (2008г.)
|
(IR- SMPS MOSFET, Vdss=250V, Rds(on)=0.26Ohm, Id=14A, D-Pak)
|
30
|
5,41
|
13.07.2026 10:58:51
|
|
|
|
MRF177 (2008г.)
|
(M/A-COM - The RF MOSFET Line 100W 400MHz 28V, Case 744A–01)
|
3
|
672,11
|
13.07.2026 10:58:51
|
|
|
|
IRFRC20 (2008г.)
|
(IR - Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.0A), D-Pak)
|
6
|
3,93
|
13.07.2026 10:58:51
|
|
|
|
IRFZ24N (2008г.)
|
(IR - Power MOSFET (Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm, Id=17A), TO-220AB)
|
10
|
2,95
|
13.07.2026 10:58:51
|
|
|
|
MRF373ALS (2008г.)
|
--
|
8
|
326,57
|
13.07.2026 10:58:51
|
|
|
|
IRFP4127PBF (2008г.)
|
(IR - 200V, 75A, Rds(on)typ.=17mA, HEXFET® Power MOSFET, TO-247AC)
|
660
|
22,61
|
13.07.2026 10:58:51
|
|
|
|
IRFZ44N (2008г.)
|
(IR - HEXFET®Power MOSFET, Vdss=50V, Id=49A, Rds(on)=17.5mOhm, TO-220)
|
9
|
4,23
|
13.07.2026 10:58:51
|
|
|
|
IRF530N (2008г.)
|
(IR - Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.16ohm, Id=14A,TO-220AB)
|
21
|
3,93
|
13.07.2026 10:58:51
|
|
|
|
IRF640N (2008г.)
|
(IR - Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.15ohm, Id=18A), TO220AB)
|
372
|
5,41
|
13.07.2026 10:58:51
|
|
|
|
IRF7389TRPBF (2008г.)
|
(IR - Dual P/N-Ch HEXFET® Power MOSFET, Vdss=-30/30V, so-8)
|
10
|
2,95
|
13.07.2026 10:58:51
|
|
|
|
IRFR9024NPBF (2008г.)
|
(IR - Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-11A), D-Pak)
|
2
|
2,95
|
13.07.2026 10:58:51
|
|
|
|
RF-2008
|
Крепежные элементы GAINTA Приборные ножки круглые; на липкой основе 3M; материал: резина; размеры: d=22, h=10 мм; цвет: черный
|
10
|
2,02
|
14.05.2026 8:58:20
|
|
|
|
MRF177 (2008г.)
|
транзистор (M/A-COM - The RF MOSFET Line 100W 400MHz 28V, Case 744A–01)
|
3
|
1009,36
|
29.04.2026 14:03:09
|
|
|
|
IRFRC20 (2008г.)
|
транзистор (IR - Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.0A), D-Pak)
|
6
|
5,91
|
29.04.2026 14:03:09
|
|
|
|
IRFZ24N (2008г.)
|
транзистор (IR - Power MOSFET (Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm, Id=17A), TO-220AB)
|
10
|
4,43
|
29.04.2026 14:03:09
|
|
|
|
MRF373ALS (2008г.)
|
транзистор --
|
8
|
490,43
|
29.04.2026 14:03:09
|
|
|
|
IRFP4127PBF (2008г.)
|
транзистор (IR - 200V, 75A, Rds(on)typ.=17mA, HEXFET® Power MOSFET, TO-247AC)
|
660
|
33,96
|
29.04.2026 14:03:09
|
|
|
|
IRFZ44N (2008г.)
|
транзистор (IR - HEXFET®Power MOSFET, Vdss=50V, Id=49A, Rds(on)=17.5mOhm, TO-220)
|
9
|
6,35
|
29.04.2026 14:03:09
|
|
|
|
IRF530N (2008г.)
|
транзистор (IR - Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.16ohm, Id=14A,TO-220AB)
|
21
|
5,91
|
29.04.2026 14:03:09
|
|
|
|
|
|