|
ЛИЧНЫЙ КАБИНЕТ
|
|
|
 |
|
Ваш заказ (0)
|
|
|
 |
|
Результат поиска
RF-2008
Найдено: 21
Название
Категория | Описание
Упаковка | Склад, (шт) | Цена, (бел.руб) | Добавлен | Количество | В корзину |
|
Предохранитель RF1-5x20 0,8А (5 х 20)
|
прочее
|
33
|
1,39
|
02.02.2026 11:02:42
|
|
|
|
MRF177 (2008г.)
|
(M/A-COM - The RF MOSFET Line 100W 400MHz 28V, Case 744A–01)
|
3
|
672,11
|
16.01.2026 14:20:39
|
|
|
|
IRFRC20 (2008г.)
|
(IR - Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.0A), D-Pak)
|
6
|
3,93
|
16.01.2026 14:20:39
|
|
|
|
IRFZ24N (2008г.)
|
(IR - Power MOSFET (Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm, Id=17A), TO-220AB)
|
10
|
2,95
|
16.01.2026 14:20:39
|
|
|
|
MRF373ALS (2008г.)
|
--
|
8
|
326,57
|
16.01.2026 14:20:39
|
|
|
|
IRFP4127PBF (2008г.)
|
(IR - 200V, 75A, Rds(on)typ.=17mA, HEXFET® Power MOSFET, TO-247AC)
|
660
|
22,61
|
16.01.2026 14:20:39
|
|
|
|
IRFZ44N (2008г.)
|
(IR - HEXFET®Power MOSFET, Vdss=50V, Id=49A, Rds(on)=17.5mOhm, TO-220)
|
9
|
4,23
|
16.01.2026 14:20:39
|
|
|
|
IRF530N (2008г.)
|
(IR - Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.16ohm, Id=14A,TO-220AB)
|
21
|
3,93
|
16.01.2026 14:20:39
|
|
|
|
IRF640N (2008г.)
|
(IR - Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.15ohm, Id=18A), TO220AB)
|
372
|
5,41
|
16.01.2026 14:20:39
|
|
|
|
IRF7389TRPBF (2008г.)
|
(IR - Dual P/N-Ch HEXFET® Power MOSFET, Vdss=-30/30V, so-8)
|
10
|
2,95
|
16.01.2026 14:20:39
|
|
|
|
IRFR9024NPBF (2008г.)
|
(IR - Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-11A), D-Pak)
|
2
|
2,95
|
16.01.2026 14:20:39
|
|
|
|
RF-2008
|
GAINTA Крепежные элементы Приборные ножки круглые; на липкой основе 3M; материал: резина; размеры: d=22, h=10 мм; цвет: черный
|
330
|
1,62
|
16.01.2026 14:04:24
|
|
|
|
MRF177 (2008г.)
|
транзистор (M/A-COM - The RF MOSFET Line 100W 400MHz 28V, Case 744A–01)
|
3
|
591,39
|
02.10.2025 12:50:07
|
|
|
|
IRFRC20 (2008г.)
|
транзистор (IR - Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.0A), D-Pak)
|
6
|
3,46
|
02.10.2025 12:50:07
|
|
|
|
MRF373ALS (2008г.)
|
транзистор --
|
8
|
287,32
|
02.10.2025 12:50:07
|
|
|
|
IRFP4127PBF (2008г.)
|
транзистор (IR - 200V, 75A, Rds(on)typ.=17mA, HEXFET® Power MOSFET, TO-247AC)
|
660
|
19,46
|
02.10.2025 12:50:07
|
|
|
|
IRF640N (2008г.)
|
транзистор (IR - Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.15ohm, Id=18A), TO220AB)
|
372
|
4,33
|
02.10.2025 12:50:07
|
|
|
|
IRFR9024NPBF (2008г.)
|
транзистор (IR - Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-11A), D-Pak)
|
2
|
2,16
|
02.10.2025 12:50:07
|
|
|
|
RF-2008, Ножка приборная
|
Gainta больше 100
|
|
1,60
|
05.04.2018 11:48:03
|
|
|
|
RF-2008, Ножка приборная
Ножки для корпусов РЭА
|
Gainta
|
|
0,60
|
05.04.2018 11:35:36
|
|
|
|
|
|