Название
Категория | Описание
Упаковка | Склад, (шт) | Цена, (бел.руб) | Добавлен | Количество | В корзину |
|
MJ11016G ON S TO3
|
|
|
53,42
|
04.04.2025 9:31:43
|
|
|
|
MJ 11016G ONS TO3
|
|
|
57,82
|
04.04.2025 9:31:43
|
|
|
|
MJ11016G TO3
|
Транзистор ON S
|
20
|
44,73
|
20.01.2025 11:01:43
|
|
|
|
MJ11016 (G)
|
TO-3 (TO-204) NPN Darlington, 120V, 30A, 200W
|
|
14,75
|
17.01.2025 14:39:18
|
|
|
|
MJ 11016G
|
ON S TO3 NPN, 120 В, 30 А, 200 Вт,
|
|
0
|
17.01.2025 14:20:13
|
|
|
|
MJ 11016G orig.
|
ON S TO3 NPN, 120 В, 30 А, 200 Вт,
|
|
0
|
17.01.2025 14:20:13
|
|
|
|
MJ11016G
|
TO-3 NPN транзистор, 120В, 30А
|
|
70,86
|
09.08.2023 12:55:12
|
|
|
|
MJ11016G
|
ONS
|
|
0
|
07.10.2021 10:49:31
|
|
|
|
MJ11016G
|
ONS
|
|
0
|
07.10.2021 10:49:31
|
|
|
|
MJ11016G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 30 А, 200 Вт, [TO-3]
|
ON Semiconductor больше 10
|
|
22,01
|
05.04.2018 11:48:03
|
|
|
|
MJ11016G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 30 А, 200 Вт, [TO-3]
Транзисторы биполярные (BJTs)
|
ON Semiconductor
|
|
21,02
|
05.04.2018 11:35:36
|
|
|
|