Название
Категория | Описание
Упаковка | Склад, (шт) | Цена, (бел.руб) | Добавлен | Количество | В корзину |
|
MJ11016G
|
ONS TO3
|
|
49,05
|
02.10.2025 12:42:16
|
|
|
|
MJ11016G
|
ON S TO3
|
|
45,32
|
02.10.2025 12:42:16
|
|
|
|
MJ11016G транзисторы
|
ON S TO3
|
|
0
|
01.10.2025 13:32:03
|
|
|
|
MJ11016G
|
TO-3
|
|
55,02
|
24.09.2025 15:17:41
|
|
|
|
MJ11016 (G)
|
TO-3 (TO-204) NPN Darlington, 120V, 30A, 200W
|
|
14,75
|
17.01.2025 14:39:18
|
|
|
|
MJ 11016G
|
ON S TO3 NPN, 120 В, 30 А, 200 Вт,
|
|
0
|
17.01.2025 14:20:13
|
|
|
|
MJ 11016G orig.
|
ON S TO3 NPN, 120 В, 30 А, 200 Вт,
|
|
0
|
17.01.2025 14:20:13
|
|
|
|
MJ11016G
|
ONS
|
|
0
|
07.10.2021 10:49:31
|
|
|
|
MJ11016G
|
ONS
|
|
0
|
07.10.2021 10:49:31
|
|
|
|
MJ11016G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 30 А, 200 Вт, [TO-3]
|
ON Semiconductor больше 10
|
|
22,01
|
05.04.2018 11:48:03
|
|
|
|
MJ11016G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 30 А, 200 Вт, [TO-3]
Транзисторы биполярные (BJTs)
|
ON Semiconductor
|
|
21,02
|
05.04.2018 11:35:36
|
|
|
|