Название
Категория | Описание
Упаковка | Склад, (шт) | Цена, (бел.руб) | Добавлен | Количество | В корзину |
|
MJ 11016G TO3
|
ONS
|
|
50,63
|
09.07.2026 12:38:44
|
|
|
|
MJ11016 (G)
|
TO-3 (TO-204) NPN Darlington, 120V, 30A, 200W
|
+
|
17,60
|
07.07.2026 10:36:04
|
|
|
|
MJ 11016G транзисторы ON S TO3
|
|
|
0
|
14.04.2026 16:29:22
|
|
|
|
MJ 11016G транзисторы
|
ON S TO3
|
|
0
|
16.01.2026 13:35:53
|
|
|
|
MJ11016G
|
TO-3
|
|
55,02
|
24.09.2025 15:17:41
|
|
|
|
MJ11016G
|
ONS
|
|
0
|
07.10.2021 10:49:31
|
|
|
|
MJ11016G
|
ONS
|
|
0
|
07.10.2021 10:49:31
|
|
|
|
MJ11016G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 30 А, 200 Вт, [TO-3]
|
ON Semiconductor больше 10
|
|
35,92
|
05.04.2018 11:48:03
|
|
|
|
MJ11016G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 30 А, 200 Вт, [TO-3]
Транзисторы биполярные (BJTs)
|
ON Semiconductor
|
|
34,31
|
05.04.2018 11:35:36
|
|
|
|