Название
Категория | Описание
Упаковка | Склад, (шт) | Цена, (бел.руб) | Добавлен | Количество | В корзину |
|
IRFBE30 корпус TO220
|
|
85
|
0
|
08.08.2025 15:59:03
|
|
|
|
CEP09N7G (IRFBE30) MOSFET N-Ch 700V 9A 1 Ohm
|
б/г CET Taiwan ТО-220 1000. лин.50
|
27555
|
3,20
|
04.04.2025 12:10:22
|
|
|
|
IRFBE30PBF MOSFET N-Ch 800V 4.1A 3 Ohm
|
б/г IR ТО-220 лин.50
|
230
|
4,00
|
04.04.2025 12:10:22
|
|
|
|
IRFBE30 IR TO-220AB
|
|
|
11,91
|
04.04.2025 9:31:43
|
|
|
|
IRFBE30S(транзистор)
|
б.г. б/уп б/пасп
|
2
|
6,00
|
02.04.2025 14:24:34
|
|
|
|
IRFBE30 TO220 IR
|
|
21
|
16,91
|
02.04.2025 9:51:16
|
|
|
|
IRFBE30 TO-220AB
|
Транзистор IR
|
12
|
9,73
|
20.01.2025 11:01:43
|
|
|
|
IRFBE 30 TO-220
|
VISHAY
|
|
0
|
20.01.2025 10:53:44
|
|
|
|
транз IRFBE30 \TO-220AB\VISHAY
|
Транзисторы Транзисторы
|
90
|
34,41
|
17.01.2025 14:42:23
|
|
|
|
IRFBE30
|
TO-220 N-channel 4.1a 800v 125w
|
|
11,21
|
17.01.2025 14:39:18
|
|
|
|
транзистор IRFBE30
|
|
8
|
14,07
|
17.01.2025 11:22:15
|
|
|
|
IRFBE30
|
|
20
|
25,59
|
17.01.2025 11:11:32
|
|
|
|
CEP09N7G (IRFBE30) MOSFET N-CH 700V 9A 1 OHM
|
|
20704
|
6,90
|
17.01.2025 11:08:57
|
|
|
|
IRFBE30PBF MOSFET N-CH 800V 4,1A 3 OHM
|
|
188
|
8,62
|
17.01.2025 11:08:57
|
|
|
|
CEP09N7G (IRFBE30) MOSFET N-Ch 700V 9A 1 Ohm
|
CET Taiwan ТО-220 1000. лин.50
|
27605
|
3,20
|
17.07.2024 13:29:00
|
|
|
|
IRFBE30PBF MOSFET N-Ch 800V 4.1A 3 Ohm
|
IR ТО-220 лин.50
|
280
|
4,00
|
17.07.2024 13:29:00
|
|
|
|
CEP09N7G (IRFBE30) MOSFET N-CH 700V 9A 1 OHM
|
б/г CET Taiwan ТО-220 1000. лин.50
|
27627
|
2,85
|
20.06.2024 18:12:57
|
|
|
|
IRFBE30PBF MOSFET N-CH 800V 4.1A 3 OHM
|
б/г IR ТО-220 лин.50
|
498
|
3,50
|
20.06.2024 18:12:57
|
|
|
|
IRFBE30S(ТРАНЗИСТОР)
|
б.г. б/уп б/пасп
|
2
|
10,42
|
20.06.2024 18:12:57
|
|
|
|
IRFBE30
Транзисторы/Транзисторы
|
Код 35636 TO220AB Vishay Intertechnology
|
5
|
10,00
|
20.06.2024 17:27:24
|
|
|
|