Название
Категория | Описание
Упаковка | Склад, (шт) | Цена, (бел.руб) | Добавлен | Количество | В корзину |
|
IRF530N (2008г.)
|
транзистор (IR - Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.16ohm, Id=14A,TO-220AB)
|
21
|
5,91
|
29.04.2026 14:03:09
|
|
|
|
IRF530N
|
IR TO220
|
|
6,09
|
28.04.2026 12:27:57
|
|
|
|
IRF530N MOSFET N-Ch 100V 17A
|
05 IR TO-220 линейка 50
|
3103
|
2,95
|
28.04.2026 9:50:11
|
|
|
|
IRF530N MOSFET N-Ch 100V 17A
|
б/г ST ТО-220 лин.50
|
71
|
2,75
|
28.04.2026 9:50:11
|
|
|
|
IRF530NPBF MOSFET N-Ch 100V 17A
|
07 IR лин.50
|
50
|
2,95
|
28.04.2026 9:50:11
|
|
|
|
`IRF530N
|
2024 JSMSEMI 50
|
1 950
|
2,03
|
28.04.2026 9:50:11
|
|
|
|
`IRF530N
|
2024 JSMSEMI 20
|
20
|
2,03
|
28.04.2026 9:50:11
|
|
|
|
`IRF530NPBF
|
2022 Infineon Technologies 25
|
100
|
2,97
|
28.04.2026 9:50:11
|
|
|
|
`IRF530NPBF
|
2023 Infineon Technologies 50
|
1 200
|
2,97
|
28.04.2026 9:50:11
|
|
|
|
`IRF530NS
|
2024 JSMSEMI 800
|
800
|
3,73
|
28.04.2026 9:50:11
|
|
|
|
`IRF530NS
|
2024 JSMSEMI 25
|
675
|
3,73
|
28.04.2026 9:50:11
|
|
|
|
`IRF530NS
|
2024 JSMSEMI 5
|
25
|
3,73
|
28.04.2026 9:50:11
|
|
|
|
IRF530N
|
транзистор TO220 IR 1
|
96
|
11,80
|
27.04.2026 10:35:50
|
|
|
|
IRF530N
|
TO-220 N-Channel TrenchMOS transistor VDSS=100V_Id=17 A_RDS(ON) = 110mOm
|
|
5,60
|
15.04.2026 13:37:06
|
|
|
|
IRF530 N транзисторы Vishay/IR TO220
|
|
|
0
|
14.04.2026 16:29:22
|
|
|
|
IRF530 N транзисторы INFINEON TO220
|
|
|
0
|
14.04.2026 16:29:22
|
|
|
|
транз IRF530NPBF \N\63\TO-220\IR
|
(IRF530N) Транзисторы
|
100
|
14,80
|
02.04.2026 14:27:25
|
|
|
|
транзистор IRF530N International Rectifier
|
|
10
|
12,95
|
02.04.2026 14:13:21
|
|
|
|
IRF530N
|
|
17
|
7,16
|
02.04.2026 13:34:30
|
|
|
|
IRF530N MOSFET N-CH 100V 17A
|
|
2327
|
4,48
|
02.04.2026 13:34:30
|
|
|
|