Название
Категория | Описание
Упаковка | Склад, (шт) | Цена, (бел.руб) | Добавлен | Количество | В корзину |
|
Транзистор КП745А IRF530
|
International Rectifier более 100
|
|
5,21
|
11.08.2026 16:42:44
|
|
|
|
Транзистор КП769Б IRF530
|
International Rectifier более 100
|
|
5,21
|
11.08.2026 16:42:44
|
|
|
|
Транзистор IRF530
|
International Rectifier более 100
|
|
5,21
|
11.08.2026 16:42:44
|
|
|
|
Транзистор IRF5305
|
International Rectifier менее 10
|
|
9,76
|
11.08.2026 16:42:44
|
|
|
|
IRF530PbF Транзистор
|
2023
|
2
|
0
|
06.08.2026 11:21:37
|
|
|
|
IRF5305 International Rectifier
|
|
6
|
8,89
|
14.07.2026 8:56:48
|
|
|
|
IRF530N International Rectifier
|
|
10
|
8,89
|
14.07.2026 8:56:48
|
|
|
|
IRF5305 TO-220AB
|
2024
|
50
|
3,44
|
13.07.2026 13:29:40
|
|
|
|
IRF5305PBF TO-220AB
|
Infineon
|
40
|
4,82
|
13.07.2026 13:29:40
|
|
|
|
IRF5305S TO-263-3
|
IR
|
2
|
6,88
|
13.07.2026 13:29:40
|
|
|
|
IRF5305S
|
08
|
2
|
7,08
|
13.07.2026 13:15:26
|
|
|
|
IRF530
|
(STM- N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR, TO-220AB)
|
7
|
3,93
|
13.07.2026 10:58:51
|
|
|
|
IRF530 (98г.)
|
(MSC- N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR, TO-220AB)
|
3
|
3,44
|
13.07.2026 10:58:51
|
|
|
|
IRF5305P (2023г.)
|
(IR - HEXFET® Power MOSFET, P, -55V, -31A, TO-220AB)
|
30
|
6,39
|
13.07.2026 10:58:51
|
|
|
|
IRF530N (2008г.)
|
(IR - Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.16ohm, Id=14A,TO-220AB)
|
21
|
3,93
|
13.07.2026 10:58:51
|
|
|
|
`IRF5305
|
2024 JSMSEMI
|
200
|
3,17
|
13.07.2026 10:11:45
|
|
|
|
`IRF5305
|
2024 JSMSEMI
|
50
|
3,17
|
13.07.2026 10:11:45
|
|
|
|
`IRF5305PBF
|
2024 Infineon Technologies
|
940
|
4,67
|
13.07.2026 10:11:45
|
|
|
|
`IRF5305S
|
2024 JSMSEMI
|
259
|
3,96
|
13.07.2026 10:11:45
|
|
|
|
`IRF5305S
|
2024 JSMSEMI
|
360
|
3,96
|
13.07.2026 10:11:45
|
|
|
|