|
ЛИЧНЫЙ КАБИНЕТ
|
|
|
 |
|
Ваш заказ (0)
|
|
|
 |
|
Результат поиска
IRF530
Найдено: 187
Название
Категория | Описание
Упаковка | Склад, (шт) | Цена, (бел.руб) | Добавлен | Количество | В корзину |
|
IRF5305 TO-220AB
|
2024
|
50
|
3,44
|
11.05.2026 11:05:17
|
|
|
|
IRF5305PBF TO-220AB
|
Infineon
|
40
|
4,82
|
11.05.2026 11:05:17
|
|
|
|
IRF5305S TO-263-3
|
IR
|
2
|
6,88
|
11.05.2026 11:05:17
|
|
|
|
IRF5305S
|
08 ИМПОРТ - ПОЛУПРОВОДНИКИ Имп - Транзисторы Имп
|
2
|
7,08
|
04.05.2026 12:45:02
|
|
|
|
Транзистор КП745А IRF530
|
International Rectifier
|
100
|
5,16
|
29.04.2026 14:09:16
|
|
|
|
Транзистор КП769Б IRF530
|
International Rectifier
|
100
|
5,16
|
29.04.2026 14:09:16
|
|
|
|
Транзистор IRF530
|
International Rectifier
|
100
|
5,16
|
29.04.2026 14:09:16
|
|
|
|
Транзистор IRF5305
|
International Rectifier
|
10
|
9,65
|
29.04.2026 14:09:16
|
|
|
|
IRF530
|
транзистор (STM- N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR, TO-220AB)
|
7
|
5,91
|
29.04.2026 14:03:09
|
|
|
|
IRF530 (98г.)
|
транзистор (MSC- N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR, TO-220AB)
|
3
|
5,17
|
29.04.2026 14:03:09
|
|
|
|
IRF5305P (2023г.)
|
транзистор (IR - HEXFET® Power MOSFET, P, -55V, -31A, TO-220AB)
|
30
|
9,60
|
29.04.2026 14:03:09
|
|
|
|
IRF530N (2008г.)
|
транзистор (IR - Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.16ohm, Id=14A,TO-220AB)
|
21
|
5,91
|
29.04.2026 14:03:09
|
|
|
|
IRF530
|
VISH/IR TO-220AB
|
|
11,40
|
28.04.2026 12:27:57
|
|
|
|
IRF5305
|
IR TO220AB
|
|
10,91
|
28.04.2026 12:27:57
|
|
|
|
IRF530N
|
IR TO220
|
|
6,09
|
28.04.2026 12:27:57
|
|
|
|
IRF530N MOSFET N-Ch 100V 17A
|
05 IR TO-220 линейка 50
|
3103
|
2,95
|
28.04.2026 9:50:11
|
|
|
|
IRF530N MOSFET N-Ch 100V 17A
|
б/г ST ТО-220 лин.50
|
71
|
2,75
|
28.04.2026 9:50:11
|
|
|
|
IRF530NPBF MOSFET N-Ch 100V 17A
|
07 IR лин.50
|
50
|
2,95
|
28.04.2026 9:50:11
|
|
|
|
`IRF5305
|
2024 JSMSEMI 50
|
200
|
3,17
|
28.04.2026 9:50:11
|
|
|
|
`IRF5305
|
2024 JSMSEMI 25
|
50
|
3,17
|
28.04.2026 9:50:11
|
|
|
|
|
|