Название
Категория | Описание
Упаковка | Склад, (шт) | Цена, (бел.руб) | Добавлен | Количество | В корзину |
|
АП50Б-3МТ 6.3А Iотс=10 ( от 2014г) КЭАЗ
|
авт.выкл. ОТК 2014 Без пасп. без упак. Н.уп.:
|
1
|
0
|
16.01.2026 14:39:59
|
|
|
|
ПМ 12-063601 ~220В с ТРТ 48-54-60-65А с ПКЛ 1104 2014г
|
Пускатель ОТК 2014 Без пасп.без упак. Н.уп.:
|
3
|
0
|
16.01.2026 14:39:59
|
|
|
|
К73-16В-630В-0,1мкФ 10%(14г)
|
|
35
|
11,80
|
16.01.2026 14:33:25
|
|
|
|
д105-630-24 (2014г.)
|
--
|
1
|
761,87
|
16.01.2026 14:20:39
|
|
|
|
MC34063ADR2G (2014г.)
|
(ONS- 1.5 A, Step-Up/Down/Inverting Switching Regulators, so-8)
|
2099
|
1,67
|
16.01.2026 14:20:39
|
|
|
|
QUINT-DIODE/40 2938963 (2014г.)
|
(Phoenix Contact - DIN Rail Redundancy Module)
|
4
|
1572,88
|
16.01.2026 14:20:39
|
|
|
|
рг-05-МА6-6ДУ16364 кГц-в (2014г.)
|
-5
|
2
|
37,36
|
16.01.2026 14:20:39
|
|
|
|
к50-92-6,3в-220 мкФ-20% (2014г.) (1)
|
(ЕВАЯ.673541.049 ТУ)
|
31
|
6,39
|
16.01.2026 14:20:39
|
|
|
|
к52-11в-6,3в-330 мкФ-20% (2014г.)
|
ос
|
24
|
63,90
|
16.01.2026 14:20:39
|
|
|
|
д105-630х-24 (2014г.) (окисл.)
|
--
|
1
|
700,42
|
16.01.2026 14:20:39
|
|
|
|
к53-18в-6,3в-680 мкф-10% (2014г.)
|
-5
|
58
|
28,31
|
16.01.2026 14:20:39
|
|
|
|
ПМ12-063201-220в (2014г.)
|
(2з.+2р.), РТТ231, вар.А
|
1
|
172,03
|
16.01.2026 14:20:39
|
|
|
|
IRLML6302TRPBF (sot-23) (2014г.)
|
(IR - HEXFET® Power MOSFET, Vdss=-20V, Rds(on)=0.6Ohm, Micro3™Case)
|
585
|
0,88
|
16.01.2026 14:20:39
|
|
|
|
к50-68и-63в-2200 мкФ-20% (2014г.)
|
-5
|
182
|
34,41
|
16.01.2026 14:20:39
|
|
|
|
к50-68ив-63в-2200 мкФ-20% (2014г.)
|
-5
|
41
|
39,32
|
16.01.2026 14:20:39
|
|
|
|
к52-11в-63в-22 мкф-20% (2014г.)
|
-5
|
5
|
65,86
|
16.01.2026 14:20:39
|
|
|
|
2Т 363 Б 14г.
|
|
8
|
0
|
16.01.2026 13:31:34
|
|
|
|
2Т 633 А 14г.
|
|
1
|
0
|
16.01.2026 13:31:34
|
|
|
|
2Т 635 А 14г.
|
|
27
|
0
|
16.01.2026 13:31:34
|
|
|
|
К50-29-6,3 1000 мкФ 14г. 5 В
|
|
4
|
0
|
16.01.2026 13:31:34
|
|
|
|