Название
Категория | Описание
Упаковка | Склад, (шт) | Цена, (бел.руб) | Добавлен | Количество | В корзину |
|
GL5549 фоторезистор d=5mm R при 10Lux=100...200кОм Rтемн.=10МОм
|
Китай
|
64
|
1,47
|
20.01.2025 11:19:24
|
|
|
|
МО-200-2-1,5 МОМ-5% Резистор
|
|
44
|
0,79
|
20.01.2025 11:16:02
|
|
|
|
GL5549 ФОТОРЕЗИСТОР D=5MM RПРИ 10LUX=100-,200КОМ RТЕМН,=10МОМ
|
|
48
|
3,68
|
17.01.2025 11:08:57
|
|
|
|
GL5549 фоторезистор d=5mm R при 10Lux=100...200кОм Rтемн.=10МОм
|
Китай фасовка 200
|
73
|
1,50
|
17.07.2024 13:29:00
|
|
|
|
GL5549 ФОТОРЕЗИСТОР D=5MM R ПРИ 10LUX=100...200КОМ RТЕМН.=10МОМ
|
б/г Китай фасовка 200
|
78
|
1,58
|
20.06.2024 18:12:57
|
|
|
|
резистор С5-23- 200 МОм-25кВ-2%
Резисторы/ Постоянные выше 2 Вт
|
Код К27231
|
5
|
83,37
|
20.06.2024 17:27:24
|
|
|
|
2 МОм 0603 1% RI0603L2004FT чип резистор Hottech
|
HOTTECH арт. 00012471 5
|
20
|
906,92
|
29.10.2021 17:16:24
|
|
|
|
2 МОм 1206 1% RI1206L2004FT чип-резистор Hottech Semiconductor
|
HOTTECH арт. 00002733 5
|
10
|
2795,35
|
29.10.2021 17:16:24
|
|
|
|
1 МОм 5% MOF-200 2 Вт (MOF2WJ105B) Olitech Electronics Резистор металлопленочный
|
OLITECH арт. 00011007 0,2
|
2
|
9856,03
|
29.10.2021 17:16:24
|
|
|
|
MO-200 (С2-23) 2 Вт, 1 МОм, 5%, Резистор металлооксидный
|
Тайвань больше 1000
|
|
0,40
|
05.04.2018 11:48:03
|
|
|
|
MO-200 (С2-23) 2 Вт, 1.1 МОм, 5%, Резистор металлооксидный
|
Тайвань больше 5000
|
|
0,40
|
05.04.2018 11:48:03
|
|
|
|
MO-200 (С2-23) 2 Вт, 1.2 МОм, 5%, Резистор металлооксидный
|
Тайвань больше 5000
|
|
0,40
|
05.04.2018 11:48:03
|
|
|
|
MO-200 (С2-23) 2 Вт, 1.3 МОм, 5%, Резистор металлооксидный
|
Тайвань больше 5000
|
|
0,30
|
05.04.2018 11:48:03
|
|
|
|
MO-200 (С2-23) 2 Вт, 1.5 МОм, 5%, Резистор металлооксидный
|
Тайвань больше 5000
|
|
0,30
|
05.04.2018 11:48:03
|
|
|
|
MO-200 (С2-23) 2 Вт, 1.6 МОм, 5%, Резистор металлооксидный
|
Тайвань больше 5000
|
|
0,30
|
05.04.2018 11:48:03
|
|
|
|
MO-200 (С2-23) 2 Вт, 1.8 МОм, 5%, Резистор металлооксидный
|
Тайвань больше 5000
|
|
0,30
|
05.04.2018 11:48:03
|
|
|
|
MO-200 (С2-23) 2 Вт, 2 МОм, 5%, Резистор металлооксидный
|
Тайвань больше 5000
|
|
0,40
|
05.04.2018 11:48:03
|
|
|
|
MO-200 (С2-23) 2 Вт, 2.2 МОм, 5%, Резистор металлооксидный
|
Тайвань больше 5000
|
|
0,40
|
05.04.2018 11:48:03
|
|
|
|
MO-200 (С2-23) 2 Вт, 2.4 МОм, 5%, Резистор металлооксидный
|
Тайвань больше 5000
|
|
0,30
|
05.04.2018 11:48:03
|
|
|
|
MO-200 (С2-23) 2 Вт, 2.7 МОм, 5%, Резистор металлооксидный
|
Тайвань больше 5000
|
|
0,30
|
05.04.2018 11:48:03
|
|
|
|