Название
Категория | Описание
Упаковка | Склад, (шт) | Цена, (бел.руб) | Добавлен | Количество | В корзину |
|
ЧИП 1206 NPO 120пФ 50В 5%
|
Samsung более 1000
|
|
0,36
|
11.08.2026 16:42:44
|
|
|
|
ЧИП 1206 X7R 1200пФ 50В 10%
|
Samsung более 1000
|
|
0,36
|
11.08.2026 16:42:44
|
|
|
|
Чип-резистор 1206 0.25Вт 120К 5%
|
более 1000
|
|
0,12
|
11.08.2026 16:42:44
|
|
|
|
Резистор SQP-2W120KJ (2Вт, 120К, 5%)
|
LIKET менее 500
|
|
1,27
|
11.08.2026 16:42:44
|
|
|
|
Резистор SQP-5W120KJ (5Вт, 120К, 5%)
|
LIKET менее 100
|
|
2,55
|
11.08.2026 16:42:44
|
|
|
|
Резистор SQP-10W120KJ (10Вт,120К, 5%)
|
LIKET более 100
|
|
3,21
|
11.08.2026 16:42:44
|
|
|
|
FGL40N120ANDTU, Транзистор IGBT 1200В 64А 500Вт + диод [TO-264]
|
2021
|
12
|
0
|
06.08.2026 11:21:37
|
|
|
|
FGL40N120ANDTU, Транзистор IGBT 1200В 64А 500Вт + диод [TO-264]
|
2022
|
22
|
0
|
06.08.2026 11:21:37
|
|
|
|
FGL40N120ANDTU, Транзистор IGBT 1200В 64А 500Вт + диод [TO-264]
|
2023
|
13
|
0
|
06.08.2026 11:21:37
|
|
|
|
FGL40N120ANDTU, Транзистор IGBT 1200В 64А 500Вт + диод [TO-264]
|
2023
|
22
|
0
|
06.08.2026 11:21:37
|
|
|
|
FGL40N120ANDTU, Транзистор IGBT 1200В 64А 500Вт + диод [TO-264]
|
2025
|
31
|
0
|
06.08.2026 11:21:37
|
|
|
|
FGL40N120ANDTU, Транзистор IGBT 1200В 64А 500Вт + диод [TO-264]
|
2026
|
13
|
0
|
06.08.2026 11:21:37
|
|
|
|
RC1206FR-07120KL Резистор
|
2022
|
7
|
0
|
06.08.2026 11:21:37
|
|
|
|
RC1206FR-07120KL Резистор
|
2024
|
660
|
0
|
06.08.2026 11:21:37
|
|
|
|
RC3216-J-120 кОм 5% (chip 1206) Extra Co
|
|
2300
|
0,04
|
14.07.2026 8:56:48
|
|
|
|
RC3216-J-120 Ом 5% (chip 1206)
|
|
5000
|
0,04
|
14.07.2026 8:56:48
|
|
|
|
1206 120пф NP0 50в 5% CL31C121JBCNNNC
|
Samsung
|
4216
|
0,10
|
13.07.2026 13:29:40
|
|
|
|
1206-120 ом 1%
|
1/4W
|
6540
|
0,04
|
13.07.2026 13:29:40
|
|
|
|
1206-120 ком 1%
|
1/4W
|
4851
|
0,03
|
13.07.2026 13:29:40
|
|
|
|
1206-120ом 5%
|
1/4W
|
7097
|
0,02
|
13.07.2026 13:29:40
|
|
|
|